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NAND01G-A

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

NAND01G-B

Company: Electronic Theatre Controls, Inc.

Category:

Description: 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

中文描述: 2112 Byte/1056字的页面，1.8V/3V，NAND闪存

Electronic Theatre Controls, Inc.

NAND01G-B2B

Company: 意法半导体

Category:

Description: 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

中文描述: 1千兆，2千兆位，2112 Byte/1056字的页面，1.8V/3V，NAND闪存

意法半导体

NAND01G-M

Company: 意法半导体

Category: 存储器模块

Description: 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP

中文描述: 同一封装内整合了256/512Mb/1Gb（x8/x16，1.8/3V，528字节页）NAND闪存以及256/512Mb（x16/x32，1.8V的）LPSDRAM的MCP

意法半导体

NAND01G-N

Company: Electronic Theatre Controls, Inc.

Category:

Description: 1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package

中文描述: 1千兆位（x8/x16）2112字节页NAND闪存和512兆位（x16）的同一封装内整合，1.8，多芯片封装

Electronic Theatre Controls, Inc.

NAND01GR3A

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

NAND01GR3A0AN1

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

NAND01GR3A0AN1E

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

NAND01GR3A0AN1F

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

NAND01GR3A0AN1T

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

NAND01GR3A0AN6

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

NAND01GR3A0AN6E

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

NAND01GR3A0AN6F

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

NAND01GR3A0AN6T

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

NAND01GR3A0AV1

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

NAND01GR3A0AV1E

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

NAND01GR3A0AV1F

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

NAND01GR3A0AV1T

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

NAND01GR3A0AV6

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

NAND01GR3A0AV6E

Company: 意法半导体

Category:

Description: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

中文描述: 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片

意法半导体

Manufacturer(92):	全部意法半导体(4216) Texas Instruments, Inc.(2535) Fairchild Semiconductor, Corp.(835) Rectron Semiconductor(452) SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.(447) ON Semiconductor(409) Hynix Semiconductor, Inc.(328) Electronic Theatre Controls, Inc.(315) Toshiba Corporation(304) National Semiconductor Corporation(304)
Category(29):	全部门电路(801) 存储器模块(449) 触发器(57) FLASH(52) 门（与/非与/或/非或）(40) 圆形连接器(32) DC/DC变换器(28) 32位微处理器(10) 锁存器(9) 运算放大器(9)