-
,开创业界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上,拥有非常快的响应时间和最小化的封装尺寸。目标应用领域包括存储服务器、交换机和路由器、测试设备、高端安全系统和军事系统。 CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速异步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit
-
,开创业界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上,拥有非常快的响应时间和最小化的封装尺寸。目标应用领域包括存储服务器、交换机和路由器、测试设备、高端安全系统和军事系统。 CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速异步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit
-
赛普拉斯半导体公司推出了业界首款单片具有144-Mbit密度的SRAM,该产品成为其65纳米SRAM产品系列中的最新成员。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和
-
SRAM行业的领先者赛普拉斯半导体公司日前推出了业界首款单片具有144-Mbit密度的SRAM,该产品成为其65纳米SRAM产品系列中的最新成员。新的144-Mbit QDRII, QDRII
-
(nvSRAM)系列,以及新的拥有集成实时时钟(RTC)的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。 赛普拉斯的nvSRAM是基于其S8™ 0.13-微米 SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide
-
做为移动 WiMAX™模拟基站,测试速率超过实际网络,高达36 Mbit/s。在一个实际的WiMAX™ 2x2 MIMO (matrix B)网络中,使用10MHz带宽以及64QAM
-
,意法半导体提供了一个极具竞争力的解决方案,为OEM融入设计高密度NOR闪存解决方案增加了一个新的选择,”Semiconductor Insights公司存储器产品首席分析师Geoff MacGillivray表示,“与主要竞争产品相比,裸片尺寸50.8mm²的ST 1-Gbit MLC NOR闪存是市场上最小的闪存芯片,创造了20.16-Mbit
-
-
-
请问那个128MBIT Strata FLASH能不能挂到Microblaze核心的嵌入式系统中去?