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PMP9484 是一款可用于 50W +50W 立体声或 100W 低音炮应用的 100W 高效紧凑型汽车放大器参考设计。此设计大致分为三个主要级: 1.) 采用 LM5122 控制器 IC 的高效单相同步升压转换器。此设计接受 7.5Vin 至 20Vin 输入电压(标称为 12Vin),可实现 24V 输出,并且能够为负载提供 5A 连续电流。峰值效率高达 98%。 2.) 采用 TPA3116D2 D 类器件的 50W+ 50W 立体声音频放大器 3.) 极低成本立体声转换为低音炮低音输入
可调光DC/DC LED驱动器(反相降压 - 升压)用于AVAGO MJ50或类似的LED串高达300mA的负载
还有24份与之关联的参考设计
厂商:
最大集电极电流(A):
- 确定
最大集电极发射极电压(V):
- 确定
最小击穿电压(V):
- 确定
端子数量:
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- 确定
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名称 厂商 描述
003-0001
SPC Technology
MULTICOMP - 003-0001 - ESD SHIELDING BAG; 聚乙烯; 粉红色
MULTICOMP - 003-0001 - ESD SHIELDING BAG; POLYETHYLENE; PINK
003-0001
SPC Technology
MULTICOMP - 003-0001 - ESD SHIELDING BAG; 聚乙烯; 粉红色
MULTICOMP - 003-0001 - ESD SHIELDING BAG; POLYETHYLENE; PINK
0510GN-25-CP
Microsemi Corp.
RF Power Field-Effect Transistor
0910-300M
Microsemi Corp.
TRANSISTOR,BJT,NPN,65V V(BR)CEO,20A I(C),FO-231VAR
0910-300M
Microsemi Corp.
UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
0910-300M
Microsemi Corp.
UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
0910-60M
Microsemi Corp.
Transistor
0910-60M
Microsemi Corp.
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
0912-25
American Microsemiconductor, Inc.
射频功率晶体管
RF POWER TRANSISTOR
0912-25
Microsemi Corp.
L波段, 硅, NPN, 射频功率晶体管
L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
0912-25
Microsemi Corp.
L波段, 硅, NPN, 射频功率晶体管
L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
0912-45
Microsemi Corp.
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN
0912-45
Microsemi Corp.
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN
0912-45
American Microsemiconductor, Inc.
RF Power Bipolar Transistor
1-6450560-9
Texas Instruments
200A, 60V, 0.0051ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
1.4KESD13A
American Microsemiconductor, Inc.
小信号晶体管
SMALL SIGNAL TRANSISTOR
1.5CE15CA
American Microsemiconductor, Inc.
小信号晶体管
SMALL SIGNAL TRANSISTOR
1.5KE100
American Microsemiconductor, Inc.
小信号晶体管
SMALL SIGNAL TRANSISTOR
1.5KE100A
American Microsemiconductor, Inc.
小信号晶体管
SMALL SIGNAL TRANSISTOR
1.5KE110CA
American Microsemiconductor, Inc.
小信号晶体管
SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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