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 1N60
场效应晶体管 >

1N60

Luguang Electronic Technology
场效应晶体管, 600V, 1.2A, 10V, 4GS
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
-
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
极性 N Channel
Pd(W)
V(BR)DS_min(V) 600
ID_max(A) 1.2
Rds_max(Ω) 11.5
@VGS(V) 10
VTH(GS) 4
PACKAGE TO-220AB
class Transistors
参数规格与技术文档
Luguang Electronic Technology
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