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1.5KE120CAR0G
二极管 > 瞬态抑制器

1.5KE120CAR0G

Taiwan Semiconductor
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 102V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
6.68
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8054167084
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.50
风险等级 6.68
YTEOL 6.06
其他特性 EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压 126 V
最小击穿电压 114 V
击穿电压标称值 120 V
外壳连接 ISOLATED
最大钳位电压 165 V
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 DO-201
JESD-30 代码 O-PALF-W2
JESD-609代码 e3
最大非重复峰值反向功率耗散 1500 W
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND
封装形式 LONG FORM
极性 BIDIRECTIONAL
最大功率耗散 5 W
参考标准 UL RECOGNIZED
最大重复峰值反向电压 102 V
表面贴装 NO
技术 AVALANCHE
端子面层 MATTE TIN
端子形式 WIRE
端子位置 AXIAL
参数规格与技术文档
Taiwan Semiconductor
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