参数名称 | 参数值 |
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是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 8314239762 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.50 |
Date Of Intro | 2018-02-23 |
风险等级 | 6.61 |
YTEOL | 6.91 |
其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
最大击穿电压 | 210 V |
最小击穿电压 | 190 V |
击穿电压标称值 | 200 V |
最大钳位电压 | 274 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-214AB |
JESD-30 代码 | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码 | e3 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 1500 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
参考标准 | IEC-61000-4-2, 4-4 4-5; MIL-STD-750; UL REGISTERED |
最大重复峰值反向电压 | 171 V |
最大反向电流 | 1 µA |
反向测试电压 | 171 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | TIN |
端子形式 | C BEND |
端子位置 | DUAL |