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11AA010T-I/MNY
存储 > EEPROM

11AA010T-I/MNY

Microchip Technology Inc
128 X 8 1-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TDFN-8
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥1.7278
市场总库存:
18,156
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.95
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 11AA010T-I/MNY
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1889323831
零件包装代码 DFN
包装说明 2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TDFN-8
针数 8
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Thailand
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
Factory Lead Time 11 weeks
风险等级 1.95
Samacsys Description 1K 128X8 1.8V Ser. EEPROM,11AA010T-I/MNY
Samacsys Manufacturer Microchip
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 24.92
最大时钟频率 (fCLK) 1 MHz
数据保留时间-最小值 200
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-N8
JESD-609代码 e4
长度 3 mm
内存密度 1024 bit
内存集成电路类型 EEPROM
内存宽度 8
湿度敏感等级 1
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 8
字数 128 words
字数代码 128
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 128X8
输出特性 TOTEM POLE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVSON
封装等效代码 SOLCC8,.12,20
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行 SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260
认证状态 Not Qualified
就绪/忙碌 NO
反向引出线 NO
筛选级别 TS 16949
座面最大高度 0.8 mm
串行总线类型 1-WIRE
最大待机电流 0.000005 A
最大压摆率 0.005 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式 NO LEAD
端子节距 0.5 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
切换位 NO
宽度 2 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms
写保护 SOFTWARE
参数规格与技术文档
Microchip Technology Inc
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