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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | 1SV280,H3F |
| 是否无铅 |  不含铅 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8365060838 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.10.00.80 |
| Factory Lead Time | 53 weeks 1 day |
| 风险等级 | 1.53 |
| Samacsys Description | Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| Samacsys Manufacturer | Toshiba |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| YTEOL | 7.12 |
| 最小击穿电压 | 15 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管电容容差 | 10.59% |
| 最小二极管电容比 | 2 |
| 标称二极管电容 | 4.25 pF |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压 | 15 V |
| 最大反向电流 | 0.003 µA |
| 反向测试电压 | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 变容二极管分类 | ABRUPT |
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苏公网安备 32059002001873号