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23LC1024-I/SN

Microchip Technology Inc

128K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO8, 3.90 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT , PLASTIC, SOIC-8

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥19.3992

市场总库存:

17,777

生命周期状态:

Active

风险等级:

1.08

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	23LC1024-I/SN
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	1240667749
零件包装代码	SOIC
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
Country Of Origin	Thailand
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8542.32.00.51
Factory Lead Time	7 weeks
风险等级	1.08
Samacsys Description	SRAM,1Mbit,2.5V,20MHz,SPI/SDI/SQI,SOIC8 23LC1024-I/SN, SRAM Memory 1Mbit, 128K words x 8 bit, 20MHz,, 2.5 to 5.5 V, 8-Pin, SOIC
Samacsys Manufacturer	Microchip
Samacsys Modified On	2023-03-07 16:10:32
YTEOL	24.61
最大时钟频率 (fCLK)	20 MHz
I/O 类型	COMMON/SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e3
长度	4.9 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	8
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.23
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
筛选级别	TS 16949
座面最大高度	1.75 mm
最大待机电流	0.00001 A
最小待机电流	2.5 V
最大压摆率	0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	3.9 mm

参数规格与技术文档

Microchip Technology Inc