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datasheet
NTE Electronics Inc
晶体管
小信号双极晶体管
2N2222A
晶体管 > 小信号双极晶体管
2N2222A
NTE Electronics Inc
Solid State Devices Inc (SSDI)
Lumimax Optoelectronic Technology
onsemi
Microchip Technology Inc
Diotec Semiconductor AG
Microsemi FPGA & SoC
MULTICOMP PRO
Rectron Semiconductor
Motorola Semiconductor Products
Micrel Inc
Fairchild Semiconductor Corporation
National Semiconductor Corporation
New Jersey Semiconductor Products, Inc.
Raytheon
Philips Semiconductors
Micro Commercial Components
STMicroelectronics
Siemens
Shenzhen Frd Science & Technology Co., Ltd
Continental Device India Ltd
TT Electronics plc
SEMITEC Corporation
Motorola Mobility LLC
NPN Transistor; Audio VHF Amplifier; Package: TO-18
数据手册:
下载: 2N2222A
ECAD 模型:
市场均价:
¥0.9410
市场总库存:
4,358
生命周期状态:
Active
风险等级:
1
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
设计资源
价格 & 库存
同型号不同厂商
参数规格
相关器件
2N2222A
JANTXV2N2222A
JAN2N2222A
JANTX2N2222A
详细参数
参数名称
参数值
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
Objectid
8326597533
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
风险等级
1
Samacsys Manufacturer
NTE ELECTRONICS
Samacsys Modified On
2024-03-13 08:26:26
YTEOL
6.5
最大集电极电流 (IC)
0.8 A
基于收集器的最大容量
8 pF
集电极-发射极最大电压
50 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
30
JEDEC-95代码
TO-18
JESD-30 代码
O-MBCY-W3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
200 °C
最低工作温度
-65 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
功耗环境最大值
0.5 W
最大功率耗散 (Abs)
1 W
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间(toff)
300 ns
最大开启时间(吨)
35 ns
VCEsat-Max
1 V
参数规格与技术文档
全部
数据手册
技术文档
下载: 2N2222A
NTE Electronics Inc
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