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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否无铅 |  含铅 |
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1448503681 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.21.00.75 |
| Factory Lead Time | 6 weeks |
| 风险等级 | 1.67 |
| Samacsys Description | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS |
| Samacsys Manufacturer | Central Semiconductor |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| YTEOL | 4 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A |
| 基于收集器的最大容量 | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 60 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 50 |
| JEDEC-95代码 | TO-18 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 功耗环境最大值 | 0.4 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.8 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 100 ns |
| 最大开启时间（吨） | 45 ns |
| VCEsat-Max | 1.6 V |
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苏公网安备 32059002001873号