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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8314886300 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.21.00.95 |
| Date Of Intro | 2018-03-28 |
| 风险等级 | 0.78 |
| Samacsys Description | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 50Vceo 5.0V 150mA 400mA 400mW |
| Samacsys Manufacturer | Central Semiconductor |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| YTEOL | 6.5 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.15 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 70 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 0.4 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.4 W |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 80 MHz |
| VCEsat-Max | 1 V |
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苏公网安备 32059002001873号