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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | 2SC2712-GR,LF |
| 是否无铅 |  不含铅 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8365068413 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.21.00.95 |
| Factory Lead Time | 40 weeks |
| 风险等级 | 0.69 |
| Samacsys Description | Bipolar Transistors - BJT Transistor Lo Freq 0.15A 50V |
| Samacsys Manufacturer | Toshiba |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| YTEOL | 7 |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.15 A |
| 基于收集器的最大容量 | 3.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 200 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 0.15 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 80 MHz |
| VCEsat-Max | 0.25 V |
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苏公网安备 32059002001873号