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2SD1253A
晶体管 > 功率双极晶体管

2SD1253A

Panasonic Electronic Components
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, ROHS COMPLIANT, N-G1, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1446072232
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.49
YTEOL 0
最大集电极电流 (IC) 4 A
集电极-发射极最大电压 80 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 1.3 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz
参数规格与技术文档
Panasonic Electronic Components
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