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2SD1286-ZM-E1
晶体管 > 小信号双极晶体管

2SD1286-ZM-E1

Renesas Electronics Corporation
1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP-3, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.03
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SD1286-ZM-E1
生命周期 Obsolete
Objectid 1823538232
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.03
YTEOL 0
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.033
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 60 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 2000
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Renesas Electronics Corporation
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