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2SJ168TE85L
晶体管 > 小信号场效应晶体管

2SJ168TE85L

Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose Small Signal
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.37
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
2SJ168TE85L
Toshiba America Electronic Components
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.21.00.95
风险等级 5.37
Is Samacsys N
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.2 A
最大漏源导通电阻 2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 22 pF
JEDEC-95代码 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
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ECAD 模型信息
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型号:2SJ168TE85L
制造商:Toshiba America Electronic Components
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替代料
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对比 型号 厂商 描述 生命周期 风险等级
对比 2SJ168TE85L
小信号场效应晶体管
当前料
Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose Small Signal
Obsolete
对比 2SJ168(TE85L,F)
小信号场效应晶体管
FFF
Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, 2-3F1F, S-MINI, SC-59, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal
Active
对比 2SJ168
小信号场效应晶体管
FFF
Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-3F1F, S-MINI, SC-59, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal
Obsolete
对比 2SJ168TE85R
小信号场效应晶体管
FFF
Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose Small Signal
Obsolete
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