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2SJ168TE85L
晶体管 > 小信号场效应晶体管

2SJ168TE85L

Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose Small Signal
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.9
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SJ168TE85L
生命周期 Obsolete
Objectid 1407173092
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.9
YTEOL 0
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.2 A
最大漏源导通电阻 2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 22 pF
JEDEC-95代码 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Toshiba America Electronic Components
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