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2SK1317-E
晶体管 > 功率场效应晶体管

2SK1317-E

Renesas Electronics Corporation
Nch Single Power Mosfet 1500V 2.5A 12000Mohm To-3P, TO-3P, /Tube
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥47.0502
市场总库存:
96,189
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.82
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SK1317-E
Brand Name Renesas
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1818613344
零件包装代码 TO-3P
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 4
制造商包装代码 PRSS0004ZE
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 18 weeks
风险等级 0.82
Samacsys Description MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.
Samacsys Manufacturer Renesas Electronics
Samacsys Modified On 2023-10-24 19:30:29
YTEOL 6.2
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 1500 V
最大漏极电流 (ID) 2.5 A
最大漏源导通电阻 12 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 7 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
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