参数名称 | 参数值 |
---|---|
Source Content uid | 2SK209-Y(TE85L,F) |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 8289092571 |
Reach Compliance Code | compliant |
风险等级 | 1.57 |
Samacsys Description | JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS |
Samacsys Manufacturer | Toshiba |
Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
YTEOL | 6.82 |
其他特性 | LOW NOISE |
配置 | SINGLE |
FET 技术 | JUNCTION |
最大反馈电容 (Crss) | 3 pF |
JEDEC-95代码 | TO-236 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 0.15 W |
最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |