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2SK217C
晶体管 > 射频小信号场效应晶体管

2SK217C

Renesas Electronics Corporation
VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, MPAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
6.9
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SK217C
生命周期 Transferred
Objectid 1982514493
包装说明 MPAK-3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 6.9
配置 SINGLE
最大漏极电流 (ID) 0.02 A
FET 技术 JUNCTION
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Renesas Electronics Corporation
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