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2SK2869STL-E
晶体管 > 功率场效应晶体管

2SK2869STL-E

Renesas Electronics Corporation
Nch Single Power Mosfet 60V 20A 45Mohm DPAK(S)/To-252, DPAK(S), /Embossed Tape
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥12.3778
市场总库存:
-
生命周期状态:
Not Recommended
风险等级:
8.27
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SK2869STL-E
Brand Name Renesas
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 1818613772
零件包装代码 DPAK(S)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4
制造商包装代码 PRSS0004ZD
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.27
Samacsys Description The 2SK2869S is a Nch Single Power Mosfet 60V 20A 45Mohm DPAK(S)/To-252.
Samacsys Manufacturer Renesas Electronics
Samacsys Modified On 2023-10-24 19:30:29
YTEOL 3
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 20 A
最大漏源导通电阻 0.07 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e6
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 245
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 80 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 TIN BISMUTH
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 20
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Renesas Electronics Corporation
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