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BA12003
晶体管 > 功率双极晶体管

BA12003

ROHM Semiconductor
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 7-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 16 Pin
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.52
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1447983168
包装说明 IN-LINE, R-PDIP-T16
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.52
YTEOL 0
最大集电极电流 (IC) 0.5 A
配置 7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码 R-PDIP-T16
元件数量 7
端子数量 16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
ROHM Semiconductor
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