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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | BAV99 |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8234039365 |
| 包装说明 | SOT-23, 3 PIN |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Country Of Origin | Germany, Mainland China, Malaysia |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.10.00.70 |
| Date Of Intro | 1974-04-15 |
| 风险等级 | 6.77 |
| Samacsys Description | Small signal diode,BAV99 0.125A 85V NXP BAV99, Dual SMT Switching Diode, Series, 100V 215mA, 4ns, 3-Pin TO-236AB |
| Samacsys Manufacturer | Nexperia |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| YTEOL | 6.15 |
| 其他特性 | LOW LEAKAGE CURRENT |
| 应用 | GENERAL PURPOSE |
| 配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.25 V |
| JEDEC-95代码 | TO-236AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 4 A |
| 元件数量 | 2 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大输出电流 | 0.215 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 最大功率耗散 | 0.25 W |
| 参考标准 | IEC-60134 |
| 最大重复峰值反向电压 | 100 V |
| 最大反向电流 | 50 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.004 µs |
| 反向测试电压 | 80 V |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
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苏公网安备 32059002001873号