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BDX34C
晶体管 > 功率双极晶体管

BDX34C

Low voltage PNP Power Darlington transistor
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥5.4289
市场总库存:
10,428
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.06
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid BDX34C
Brand Name STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1482537888
零件包装代码 TO-220AB
包装说明 PLASTIC PACKAGE-3
针数 3
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
Factory Lead Time 16 weeks
风险等级 1.06
Samacsys Description BDX34C, Darlington Transistor, PNP 10 A 100 V HFE:750, 3-Pin, TO-220
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 4
最大集电极电流 (IC) 10 A
集电极-发射极最大电压 100 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 750
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP
功耗环境最大值 70 W
最大功率耗散 (Abs) 70 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 3 MHz
VCEsat-Max 2.5 V
参数规格与技术文档
STMicroelectronics
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