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BLF177
晶体管 > 射频场效应晶体管

BLF177

TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-4, FET RF Power
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.57
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid BLF177
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1450410714
包装说明 CERAMIC PACKAGE-4
针数 4
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.75
风险等级 8.57
Samacsys Manufacturer NXP
Samacsys Modified On 2023-02-22 15:33:28
YTEOL 0
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 125 V
最大漏极电流 (ID) 16 A
最大漏源导通电阻 0.3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 O-CRFM-F4
元件数量 1
端子数量 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 220 W
最大功率耗散 (Abs) 220 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
NXP Semiconductors
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