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BLF188XR
晶体管 > 射频小信号场效应晶体管

BLF188XR

NXP Semiconductors
RF SMALL SIGNAL, FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.16
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid BLF188XR
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1293793162
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.16
外壳连接 SOURCE
配置 COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压 135 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F4
元件数量 2
端子数量 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 23.2 dB
参考标准 IEC-60134
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
NXP Semiconductors
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