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BSS192,115
晶体管 > 小信号场效应晶体管

BSS192,115

BSS192 - 240 V, P-channel vertical D-MOS transistor@en-us SOT-89 3-Pin
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥4.4879
市场总库存:
91,399
生命周期状态:
Not Recommended
风险等级:
5.85
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid BSS192,115
Brand Name Nexperia
生命周期 Not Recommended
Objectid 8259660031
零件包装代码 SOT-89
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数 3
制造商包装代码 SOT89
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.21.00.75
风险等级 5.85
Samacsys Description 240 V, P-channel vertical D-MOS transistor, SOT89
Samacsys Manufacturer Nexperia
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 3
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 240 V
最大漏极电流 (ID) 0.2 A
最大漏源导通电阻 12 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 15 pF
JEDEC-95代码 TO-243AA
JESD-30 代码 R-PSSO-F3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 P-CHANNEL
参考标准 IEC-60134
表面贴装 YES
端子面层 TIN
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
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