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BUZ11_NR4941

Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥9.2759

市场总库存:

生命周期状态:

Transferred

风险等级:

3.15

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	BUZ11_NR4941
Brand Name	Fairchild Semiconductor
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Transferred
Objectid	1353072840
零件包装代码	TO-220
包装说明	TO-220AB, 3 PIN
针数	3
制造商包装代码	TO-220, MOLDED, 3LEAD, JEDEC VARIATION AB
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.29.00.95
风险等级	3.15
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	50 V
最大漏极电流 (ID)	30 A
最大漏源导通电阻	0.04 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	120 A
表面贴装	NO
端子面层	MATTE TIN
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON