参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | BUZ71 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1483106557 |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | TO-220, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
风险等级 | 8.62 |
Samacsys Description | MOSFET |
Samacsys Manufacturer | STMicroelectronics |
Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
YTEOL | 0 |
雪崩能效等级(Eas) | 50 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 50 V |
最大漏极电流 (ID) | 17 A |
最大漏源导通电阻 | 0.1 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 150 pF |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 85 W |
最大功率耗散 (Abs) | 40 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 68 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 145 ns |
最大开启时间(吨) | 95 ns |