Fri Apr 19 2024 20:45:20 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
BUZ80A
晶体管 > 功率场效应晶体管

BUZ80A

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.56
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid BUZ80A
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1537710058
零件包装代码 SFM
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.56
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2020-11-30 19:47:12
YTEOL 0
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 320 mJ
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 800 V
最大漏极电流 (ID) 3 A
最大漏源导通电阻 3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 12 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消