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CD54HCT00F3A
逻辑 > 栅极

CD54HCT00F3A

Military 4-ch, 2-input, 4.5-V to 5.5-V NAND gates 14-CDIP -55 to 125
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥106.0440
市场总库存:
23
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.92
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid CD54HCT00F3A
Brand Name Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Active
Objectid 1936468441
零件包装代码 DIP
包装说明 DIP, DIP14,.3
针数 14
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.39.00.01
风险等级 0.92
Samacsys Description Logic Gates Military 4-ch, 2-input, 4.5-V to 5.5-V NAND gates 14-CDIP -55 to 125
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 15
系列 HCT
JESD-30 代码 R-CDIP-T14
JESD-609代码 e0
长度 19.56 mm
负载电容(CL) 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE
最大I(ol) 0.004 A
功能数量 4
输入次数 2
端子数量 14
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP
封装等效代码 DIP14,.3
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
包装方法 TUBE
最大电源电流(ICC) 0.04 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup 30 ns
传播延迟(tpd) 30 ns
认证状态 Not Qualified
施密特触发器 NO
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 MILITARY
端子面层 TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL
宽度 7.62 mm
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