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CY22E016L-SZ25XI
存储 > SRAM

CY22E016L-SZ25XI

Rochester Electronics LLC
2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-28
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Not Recommended
风险等级:
9.28
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 1305884161
零件包装代码 SOIC
包装说明 SOP,
针数 28
Reach Compliance Code unknown
风险等级 9.28
最长访问时间 25 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G28
JESD-609代码 e4
长度 17.905 mm
内存密度 16384 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM
内存宽度 8
湿度敏感等级 3
功能数量 1
端子数量 28
字数 2048 words
字数代码 2000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 2KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260
认证状态 COMMERCIAL
座面最大高度 2.67 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 NICKEL PALLADIUM
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 20
宽度 7.505 mm
参数规格与技术文档
Rochester Electronics LLC
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