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EDB2432B4MA-1DAAT-F-RTR
存储 > DRAM

EDB2432B4MA-1DAAT-F-RTR

Micron Technology Inc
DDR DRAM,
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 8202225343
包装说明 VFBGA,
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.32
风险等级 8.83
YTEOL 0
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性 SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B134
长度 11.5 mm
内存密度 1073741824 bit
内存集成电路类型 LPDDR2 DRAM
内存宽度 32
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 134
字数 33554432 words
字数代码 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 105 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 32MX32
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
座面最大高度 1 mm
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子形式 BALL
端子节距 0.65 mm
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
宽度 10 mm
参数规格与技术文档
Micron Technology Inc
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