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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 8202225345 |
| 包装说明 | VFBGA, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.36 |
| 风险等级 | 8.78 |
| Samacsys Manufacturer | Micron |
| Samacsys Modified On | 2019-07-03 05:51:10 |
| YTEOL | 0 |
| 访问模式 | SINGLE BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B134 |
| 长度 | 11.5 mm |
| 内存密度 | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 134 |
| 字数 | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 64MX32 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.14 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10 mm |
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苏公网安备 32059002001873号