参数名称 | 参数值 |
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是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 8202159930 |
包装说明 | VFBGA, |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.36 |
风险等级 | 8.78 |
YTEOL | 0 |
访问模式 | SINGLE BANK PAGE BURST |
其他特性 | SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B134 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 11.5 mm |
内存密度 | 2147483648 bit |
内存集成电路类型 | LPDDR2 DRAM |
内存宽度 | 32 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 134 |
字数 | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 64MX32 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
座面最大高度 | 1 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.3 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.14 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 10 mm |