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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Contact Manufacturer |
| Objectid | 8097543123 |
| 包装说明 | UNCASED CHIP, R-XXUC-X4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 3.98 |
| Samacsys Manufacturer | Efficient Power Conversion |
| Samacsys Modified On | 2019-10-12 15:16:04 |
| 其他特性 | ULTRA LOW RESISTANCE |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.1 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-XXUC-X4 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 22 A |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UNSPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM NITRIDE |
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苏公网安备 32059002001873号