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FDC604P_NL
晶体管 > 小信号场效应晶体管

FDC604P_NL

Fairchild Semiconductor Corporation
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.63
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid FDC604P_NL
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 2064626699
零件包装代码 SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.63
YTEOL 0
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (ID) 5.5 A
最大漏源导通电阻 0.031 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.6 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
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