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FDC655BN
晶体管 > 小信号场效应晶体管

FDC655BN

Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥3.5276
市场总库存:
6,509
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
2.59
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid FDC655BN
Brand Name Fairchild Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 2051024565
零件包装代码 SSOT
包装说明 ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6
针数 6
制造商包装代码 6LD, SUPERSOT6, JEDEC MO-193, 1.6MM WIDE
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 2.59
其他特性 ULTRA-LOW RESISTANCE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 6.3 A
最大漏源导通电阻 0.025 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 90 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.6 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
Fairchild Semiconductor Corporation
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