FDC655BN
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FDC655BN

N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30 V, 6.3 A, 25 mΩ, 3000-REEL
市场均价:
¥2.6408
市场总库存:
788670
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.9
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
FDC655BN
ON Semiconductor
详细参数
参数名称 参数值
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
IHS 制造商 ON SEMICONDUCTOR
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
制造商包装代码 419BL
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
Factory Lead Time [object Object]
风险等级 0.9
Samacsys Confidence 3
Samacsys Status Released
2D Presentation https://componentsearchengine.com/2D/0T/1059581.1.1.png
Schematic Symbol https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1059581
PCB Footprint https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1059581
3D View https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1059581
其他特性 ULTRA-LOW RESISTANCE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 6.3 A
最大漏极电流 (ID) 6.3 A
最大漏源导通电阻 0.025 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 90 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.6 W
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
展开剩余 34 条 折叠部分参数
3dlogo ECAD 模型
ECAD 模型信息
可下载的格式
Altium Eagle OrCad PADS KiCad
下载 ECAD 档案
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价格 & 库存
市场价格分析
当前暂无数据分析
  • 1. Newark ¥3.4277
  • 2. element14 ¥3.6047
  • 3. Future Electronics ¥3.6245
  • 4. Newark ¥3.6293
价格走势
当前暂无数据分析
库存走势
当前暂无数据分析
分销商库存
市场总库存
788,670
  • 1. Future Electronics 530,988
  • 2. element14 84,814
  • 3. Farnell 83,643
  • 4. Newark 82,313
  • 5. RS Components 4,320
  • 6. TME Electronic Components 2,592
同型号不同厂商
同型号不同厂商的对比(1)
对比 型号 描述 厂商 生命周期 风险等级
对比 FDC655BN
功率场效应晶体管
当前料
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30 V, 6.3 A, 25 mΩ, 3000-REEL
ON Semiconductor Active
对比 FDC655BN
小信号场效应晶体管
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6
Fairchild Semiconductor Corporation Transferred
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