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FDZ375P
晶体管 > 小信号场效应晶体管

FDZ375P

Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 1 X 1 MM, ROHS COMPLIANT, ULTRA THIN, WL-CSP-4
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥198.4174
市场总库存:
14,396
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
2.67
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid FDZ375P
Brand Name Fairchild Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1874792374
零件包装代码 CSP
包装说明 1 X 1 MM, ROHS COMPLIANT, ULTRA THIN, WL-CSP-4
针数 4
制造商包装代码 4 BALL WLCSP 1.0 X 1.0MM
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 2.67
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (ID) 3.7 A
最大漏源导通电阻 0.078 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 150 pF
JESD-30 代码 R-PBGA-B4
JESD-609代码 e1
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.7 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 TIN SILVER COPPER
端子形式 BALL
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
Fairchild Semiconductor Corporation
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