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FHC40LG
晶体管 > 射频小信号场效应晶体管

FHC40LG

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE LG, 4 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1951024538
包装说明 DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数 4
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.21.00.75
YTEOL 0
其他特性 HIGH RELIABILITY
外壳连接 SOURCE
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 3.5 V
FET 技术 HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带 X BAND
JESD-30 代码 O-CRDB-F4
元件数量 1
端子数量 4
工作模式 DEPLETION MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND
封装形式 DISK BUTTON
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 0.29 W
最小功率增益 (Gp) 14 dB
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE
参数规格与技术文档
FUJITSU Limited
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