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FHK20N06
晶体管 > 功率场效应晶体管

FHK20N06

Fenghua (HK) Electronics Ltd
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
6.73
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 2105093471
零件包装代码 TO-252
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
风险等级 6.73
YTEOL 3.5
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 20 A
最大漏源导通电阻 0.055 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 60 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Fenghua (HK) Electronics Ltd
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