参数名称 | 参数值 |
---|---|
生命周期 | Active |
Objectid | 2105093471 |
零件包装代码 | TO-252 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
Country Of Origin | Mainland China |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 6.73 |
YTEOL | 3.5 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 20 A |
最大漏源导通电阻 | 0.055 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-252 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 60 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON |