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FQD13N06L

Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥3.4021

市场总库存:

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

8.67

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	FQD13N06L
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
生命周期	Obsolete
Objectid	1515056507
零件包装代码	TO-252
包装说明	DPAK-3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.29.00.95
风险等级	8.67
YTEOL	0
其他特性	FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	90 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	11 A
最大漏源导通电阻	0.145 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	28 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	44 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON