FQD13N06LTM
晶体管 > 功率场效应晶体管

FQD13N06LTM

Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK, 2500-REEL
市场均价:
¥3.4880
市场总库存:
34,797
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.55
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
FQD13N06LTM
ON Semiconductor
详细参数
参数名称 参数值
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
IHS 制造商 ON SEMICONDUCTOR
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码 369AS
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
Factory Lead Time 12 weeks 1 day
风险等级 0.55
Samacsys Confidence 4
Samacsys Status Released
Schematic Symbol https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=167428
PCB Footprint https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=167428
雪崩能效等级(Eas) 90 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 11 A
最大漏极电流 (ID) 11 A
最大漏源导通电阻 0.145 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 28 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 44 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
展开剩余 33 条 折叠部分参数
3dlogo ECAD 模型
ECAD 模型信息
可下载的格式
Altium Eagle OrCad PADS KiCad
下载 ECAD 档案
下载 ECAD 模型档案,表示您同意我们的条款&条件以及隐私政策。
替代料
认证替代料(6)
FE 功能等同替代料,包含 FFF 形态、装配、功能兼容替代料 (6):
对比 型号 厂商 描述 生命周期 风险等级
对比 FQD13N06LTM
功率场效应晶体管
当前料
ON Semiconductor
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK, 2500-REEL
Active
对比 934056250118
功率场效应晶体管
FFF
Nexperia
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Not Recommended
对比 BUK92150-55A
功率场效应晶体管
FFF
NXP Semiconductors
11A, 55V, 0.155ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
Transferred
对比 FQD13N06LTF
功率场效应晶体管
FFF
Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
Obsolete
对比 BUK92150-55A,118
功率场效应晶体管
FFF
NXP Semiconductors
N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin
Transferred
对比 FQD13N06LTM_NL
功率场效应晶体管
FFF
Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE, DPAK-3
Obsolete
对比 FQD13N06L
功率场效应晶体管
FFF
Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
Obsolete
1 - 5 / 6个替代料
价格 & 库存
市场价格分析
当前暂无数据分析
  • 1. Newark ¥1.4801
  • 2. Rochester Electronics ¥2.0914
  • 3. Newark ¥2.1477
  • 4. Future Electronics ¥4.4991
  • 5. element14 ¥5.0172
  • 6. Newark ¥5.0917
  • 7. Farnell ¥5.7079
  • 8. Farnell ¥5.7079
价格走势
当前暂无数据分析
库存走势
当前暂无数据分析
分销商库存
市场总库存
34,797
  • 1. Future Electronics 25,296
  • 2. Farnell 2,260
  • 3. Newark 2,226
  • 4. element14 2,221
  • 5. Rochester Electronics 1,490
  • 6. TME Electronic Components 1,304
同型号不同厂商
同型号不同厂商的对比(1)
对比 型号 描述 厂商 生命周期 风险等级
对比 FQD13N06LTM
功率场效应晶体管
当前料
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK, 2500-REEL
ON Semiconductor Active
对比 FQD13N06LTM
功率场效应晶体管
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
Fairchild Semiconductor Corporation Transferred
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏