FQD5P10TM
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FQD5P10TM

Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -100 V, -3.6 A, 1.05 Ω, DPAK, 2500-REEL
市场均价:
¥4.7693
市场总库存:
5,134
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.7
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
FQD5P10TM
ON Semiconductor
详细参数
参数名称 参数值
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
IHS 制造商 ON SEMICONDUCTOR
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码 369AS
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
Factory Lead Time 1 week
风险等级 0.7
Samacsys Confidence 4
Samacsys Status Released
Schematic Symbol https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1437204
PCB Footprint https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1437204
雪崩能效等级(Eas) 55 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.6 A
最大漏极电流 (ID) 3.6 A
最大漏源导通电阻 1.05 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 14.4 A
认证状态 Not Qualified
子类别 Other Transistors
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
展开剩余 33 条 折叠部分参数
3dlogo ECAD 模型
ECAD 模型信息
可下载的格式
Altium Eagle OrCad PADS KiCad
下载 ECAD 档案
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替代料
认证替代料(3)
FE 功能等同替代料,包含 FFF 形态、装配、功能兼容替代料 (3):
对比 型号 厂商 描述 生命周期 风险等级
对比 FQD5P10TM
功率场效应晶体管
当前料
ON Semiconductor
Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -100 V, -3.6 A, 1.05 Ω, DPAK, 2500-REEL
Active
对比 FQD5P10TF
功率场效应晶体管
FFF
Rochester Electronics LLC
3.6A, 100V, 1.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
Active
对比 FQD5P10
功率场效应晶体管
FFF
ON Semiconductor
Power Field-Effect Transistor
Active
对比 SFR9110TF
功率场效应晶体管
Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
Obsolete
价格 & 库存
市场价格分析
当前暂无数据分析
  • 1. element14 ¥5.3336
  • 2. Newark ¥5.6789
  • 3. Farnell ¥6.4151
价格走势
当前暂无数据分析
库存走势
当前暂无数据分析
分销商库存
市场总库存
5,134
  • 1. element14 1,348
  • 2. Farnell 1,343
  • 3. Newark 1,343
  • 4. RS Components 1,100
同型号不同厂商
同型号不同厂商的对比(1)
对比 型号 描述 厂商 生命周期 风险等级
对比 FQD5P10TM
功率场效应晶体管
当前料
Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -100 V, -3.6 A, 1.05 Ω, DPAK, 2500-REEL
ON Semiconductor Active
对比 FQD5P10TM
功率场效应晶体管
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
Fairchild Semiconductor Corporation Transferred
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