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FQP27N25_NL
晶体管 > 功率场效应晶体管

FQP27N25_NL

Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 25.5A I(D), 250V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.13
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid FQP27N25_NL
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 2064627222
零件包装代码 TO-220AB
包装说明 TO-220, 3 PIN
针数 3
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.13
YTEOL 0
雪崩能效等级(Eas) 600 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 250 V
最大漏极电流 (ID) 25.5 A
最大漏源导通电阻 0.11 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 102 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
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