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GB35XF120K
晶体管 > IGBT

GB35XF120K

Vishay Intertechnologies
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, ECONO26PACK-17
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.89
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1688189555
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
针数 17
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.89
YTEOL 0
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 50 A
集电极-发射极最大电压 1200 V
配置 BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压 20 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X17
元件数量 6
端子数量 17
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 284 W
认证状态 Not Qualified
参考标准 UL RECOGNIZED
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
晶体管应用 MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 645 ns
标称接通时间 (ton) 85 ns
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
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