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HUF75925D3ST
晶体管 > 功率场效应晶体管

HUF75925D3ST

Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.275ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.98
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid HUF75925D3ST
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1547232426
零件包装代码 TO-252AA
包装说明 TO-252AA, 3 PIN
针数 4
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.98
YTEOL 0
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V
最大漏极电流 (ID) 11 A
最大漏源导通电阻 0.275 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 100 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
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