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IDT7130SA55TFG
存储 > SRAM

IDT7130SA55TFG

Integrated Device Technology Inc
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.14
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IDT7130SA55TFG
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 2065439590
零件包装代码 QFP
包装说明 LFQFP, QFP64,.47SQ,20
针数 64
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 7.14
最长访问时间 55 ns
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 S-PQFP-G64
JESD-609代码 e3
长度 10 mm
内存密度 8192 bit
内存集成电路类型 MULTI-PORT SRAM
内存宽度 8
湿度敏感等级 3
功能数量 1
端口数量 2
端子数量 64
字数 1024 words
字数代码 1000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 1KX8
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP
封装等效代码 QFP64,.47SQ,20
封装形状 SQUARE
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm
最大待机电流 0.015 A
最小待机电流 4.5 V
最大压摆率 0.155 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子节距 0.5 mm
端子位置 QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30
宽度 10 mm
参数规格与技术文档
Integrated Device Technology Inc
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