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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | IR2110SPBF |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Not Recommended |
| Objectid | 8006004758 |
| 包装说明 | SOIC-16 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Country Of Origin | USA |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time | 20 weeks |
| 风险等级 | 6.17 |
| Samacsys Description | Infineon IR2110SPBF Dual High and Low Side MOSFET Power Driver, 2.5A, 10 → 20 V 16-Pin, SOIC W |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| YTEOL | 3 |
| 高边驱动器 | YES |
| 接口集成电路类型 | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 10.3 mm |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 标称输出峰值电流 | 2.5 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP16,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.65 mm |
| 最大供电电压 | 20 V |
| 最小供电电压 | 3.3 V |
| 标称供电电压 | 15 V |
| 电源电压1-最大 | 520 V |
| 电源电压1-分钟 | 6 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 断开时间 | 0.125 µs |
| 接通时间 | 0.15 µs |
| 宽度 | 7.5 mm |
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苏公网安备 32059002001873号