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IRF1010ZPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF1010ZPBF

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥14.2542
市场总库存:
11,738
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
6.24
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRF1010ZPBF
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 8006005652
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
风险等级 6.24
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-11-16 00:49:28
YTEOL 0
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 130 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V
最大漏极电流 (ID) 75 A
最大漏源导通电阻 0.0075 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 360 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
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